Toshiba vient d’annoncer avoir réussi à mettre au point une puce de mémoire flash ayant une capacité de 32 Go ! Tout l’exploit résidant en fait dans ses dimensions qui sont de 14 x 18 x 1,4 mm, lui permettant ainsi d’être intégrée aux téléphones portables et autres baladeurs. Les premiers échantillons sortiront des usines dès le mois prochain et la production de masse débutera aux alentours du quatrième trimestre 2008.
Préparez-vous donc à voir débarquer des appareils portables disposant d’un espace de stockage accru dès la fin de l’année. Et là mon regard se tourne tout particulièrement vers Apple, qui se fournit justement en mémoire flash chez Toshiba. De là à penser que la prochaine génération d’iPod bénéficiera de ces nouvelles puces il n’y a qu’un pas… Que je franchis sans hésitation.
Via Gizmodo
push
50 millions de puces NAND flash de 8 Gbit, c’est ce que vient de commander Apple à Samsung, selon DigiTimes ! Cette commande fait d’ailleurs suite à une autre qui a été passée en juin, de 25 millions de puces… De quoi pouvoir inonder le marché d’environ 2,1 millions d’iPhone 3G 8Go et 2,1 millions d’iPhone 3G 16Go, un bon début !
via Engadget
push
IBM travaille actuellement sur la mise au point d’un nouveau type de mémoire plus rapide et plus pérenne que les technologies employées actuellement ! Racetrack, son nom de code, est une mémoire non volatile, stable et durable. Encore à l’état de recherches, un prototype de cette nouvelle mémoire pourrait être disponible dans 4 ans et la fabrication suivra les années suivantes si les résultats sont concluants. Racetrack, pourrait donc rapidement mettre les disques SSD au placard qui seront surement bien implantés d’ici là dans nos appareils, surtout que cette nouvelle mémoire devrait bénéficier d’un coût de fabrication très bas… À suivre.
Les informations sont stockées dans des centaines d’atomes contenus dans des nano-connecteurs leur permettant d’être accessibles en moins d’une nano-seconde. Et il ne faut qu’un seul transistor pour lire 16 bits de données. « Dans les mémoires flash et les disques surs, chaque transistor accède à 1 bit ou peut-être 2 ou 4 pour la flash. Nous allons utiliser un transistor pour accéder à plusieurs bits », explique Stuart Parkin, qui dirige le groupe Magnéto-électronique dans le centre de recherche IBM d’Almaden, en Californie. De plus, cette technologie pourrait aboutir sur une mémoire « virtuellement indestructible ». Contrairement aux supports de mémoire flash, qui peuvent s’altérer après quelques milliers de cycles lecture-écriture, Racetrack conserve ses propriétés originelles ad vitam aeternam. Elle profite pour cela du total immobilisme des atomes composant ses nano-connecteurs : « dès lors que vous commencez à déplacer des atomes, les problèmes surgissent et les appareils finissent par s’user », précise le chercheur.
via igeneration
push
Samsung vient d’annoncer de la
mémoire flash MLC qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres ! La production devrait commencer en 2009 et servir principalement à fabriquer des disques SSD… Voici une petite explication un peu plus technique via nos confrères de
Presence-PC.
Actuellement, Samsung utilise la technique SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) pour sa mémoire. Elle permet de graver des puces de mémoire MLC, ce qui n’est pas vraiment intéressant. En schématisant, la mémoire flash MLC (Multi Layer Cell) permet de stocker 2 bits (ou plus) par transistor, alors que la SLC (Single Layer Cell) se limite à un seul. Mais la MLC a un gros défaut : elle est lente en écriture. Alors que les meilleures mémoires SLC peuvent écrire à 40 Mo/s, la MLC se limite à 10 Mo/s environ. Et contrairement aux disques durs, l’augmentation de la densité n’augmente pas la vitesse. Par contre, la MLC est avantageuse dans certains cas : la miniaturisation est plus efficace (volume divisé par deux) et elle est moins onéreuse. En passant en 30 nanomètres, des capacités de 256 ou 512 Go en format 2,5 pouces ne sont pas irréalistes.
push
La concurrence va avoir du mal face à Apple en cette fin d’année, un peu comme l’année dernière d’ailleurs. En effet, l
a pomme aurait commandé des stocks très importants de mémoire flash pour ses iPod et iPhone. Selon
DigiTimes, la production de Silicon Storage Technology (SST) et Spansion serait entièrement réservée à Apple, tout comme Hynix et Samsung qui avaient décidé il y a quelques mois de donner la priorité à la pomme ! La concurrence n’a qu’à bien se tenir et surtout faire des stocks. À suivre
via
igeneration
push
Nous en avions parlé lors de notre test (à lire
ici), le Trekstor Vibez aurait pu bénéficier d’une mémoire en flash plutôt qu’un microdrive toujours plus fragile. Et bien voilà, nos amis de DAPreview ont lancé quelques recherches pour savoir ce qu’il en était et oui, le Vibez passe à la mémoire flash.
Ce nouveau modèle sera dévoilé à l’IFA à la fin du mois et sera disponible en 4 et 8 Go.
via
DAPreview
push
Nous avions déjà vu cette manipulation pour le Rio Karma ou encore le Creative Zen Micro, la voici pour
l’iPod 5G. Il est possible de changer votre disque dur de 30Go par une carte Compact Flash jusqu’à 16Go… Évidemment, il faudra mettre le prix, mais l’iPod en perdant de la capacité, gagne en autonomie et en rapidité. Certes, on se demande encore la réelle utilité d’une telle manipulation, mais vous savez, quand en plein mois d’août on se croit au mois d’octobre, il n’y a plus de questions à se poser…
Suivez ce tutoriel si vous êtes intéressés.
push
