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Écrit par
Cedric

Samsung et la mémoire flash: gravure plus fine, capacité p…

Mardi 12 septembre 2006 à 10:36 | Dans la catégorie Hardware
Samsung n’est pas un fabricant de baladeurs comme les autres puisqu’il produit aussi des composants. Leader dans plusieurs domaines dont les écrans, la firme coréenne excelle également dans le secteur de la mémoire flash!

Samsung a en effet annoncé les premières unités de mémoire NAND gravées en 40 nanomètres et d’une capacité de 32 Gbits soit 4 Go. La prochaine étape est le passage au 20 nanomètres pour une capacité de 256 Gbits soit 32 Go avant d’atteindre le chiffre vertigineux de 64 Go!
Nous pouvons leur faire confiance pour atteindre leurs objectifs et vérifier la “loi de Hwang”, du nom de leur président, qui stipule que la densité des puces de mémoire flash de dernière génération doublera tous les douze mois. Encore mieux que la loi de Moore!



Parallèlement, la mémoire flash NOR devrait être remplacée par la PRAM (Phase-change Random Access Memory) qui serait jusqu’à trente fois plus rapide que la mémoire NOR, qui aurait une durée de vie jusqu’à dix fois supérieure, qui occuperait deux fois moins de place à capacité égale et qui couterait jusqu’à 20% moins cher. Cette “Perfect RAM” devrait débarquée en 2008 en version 512Mo…

via TG Daily

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